蓝鲸TMT频道12月13日音讯，据国外新闻媒体报道，三星电子将对其我国西安芯片工厂添加80亿美元的出资，以促进NAND闪存芯片的出产。
这是三星西安闪存芯片项目的二期第二阶段出资，此前108亿美元为一期出资。二期项目总出资150亿美元，第一阶段出资约70亿美元，第二阶段为80亿美元。
早在2017年三星曾宣告，未来三年将向出产NAND闪存芯片的西安工厂出资70亿美元。在此之前，三星早些时候还向西安的一家检测和包装工厂出资了108亿美元。
据悉，二期项目估计于2021年下半年竣工，建成后将新增产能每月13万片，新增产量300亿元。
业内人士剖析，三星此次出资正值全球内存商场估计于下一年反弹之际。因为我国5G网络布局提速，对5G设备和网络需求的不断上升，下一年全球内存芯片商场将呈现反弹，因此加大我国芯片厂商的出资也是明智之举。
