上星期我国的长江存储公司宣告霸占128层3D闪存技能，QLC类型容量做到了1.33Tb容量，发明了三个世界第一。国产闪存日新月异，三星等公司也没闲着，三星正在开发160仓库的3D闪存。
对3D闪存来说，仓库层数越多，容量就越大，存储密度就越高，这是3D闪存的中心竞争力，2020年全球将大规模量产100+层的3D闪存。
不过每家的技能计划不同，东芝、西数的BiCS 5代3D闪存是112层的，美光、SK海力士有128层的，Intel的是144层，并且是浮栅极技能的，三星上一年推出的第六代V-NAND闪存做到了136层，本年也是量产的主力。
在136层之后，三星现在正在研制160层及以上的3D闪存，将成为第七代V-NAND闪存的根底。
现在160层+的3D闪存还没有具体的技能信息，韩媒报导称三星可能会大幅改善制作工艺，从现在的单仓库（single-stack）升级到双仓库（double-stack），以便制作更高层数的3D闪存。
考虑到三星在NAND闪存职业占有了超越1/3的比例，实力是最强的，不出意外160+层仓库的闪存应该也会是他们首发，持续坚持闪存技能上的优势，摆开与对手的距离。
